Bipolar Junction Transistor Arrays - BJT

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2450049
BCM857BS.115

BCM857BS.115

NXP

Bipolar Transistor Array, PNP, -45 V, 300 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-363

TRANSISTOR, PNP, DUAL, -45V, SOT-363-6; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6Pins; Operating Tem

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2317636
BC846BDW1T1G

BC846BDW1T1G

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Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, SOT-363-6; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6Pins; Operating

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    MBT2222ADW1T1G.

    MBT2222ADW1T1G.

    ON SEMICONDUCTOR

    BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 40V, SOT363

    BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 40V, SOT363; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:35hFE; No. of Pins:6Pins; MSL:MSL 1 - Unlimited

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    1467825
    ULN2003D1013TR

    ULN2003D1013TR

    STMICROELECTRONICS

    Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

    ARRAY, DARLINGTON, SMD; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:1000hFE; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:16Pins; Operating Temperature Max:85°C; Prod

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    1652419
    ULN2803ADWR

    ULN2803ADWR

    TEXAS INSTRUMENTS

    Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

    Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:-; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:18Pins; Operating Temperature Max:85°C; Product Range:-; Automotive Qualif

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    1653608
    BC857BDW1T1G

    BC857BDW1T1G

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, General Purpose, PNP, -45 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363

    BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:150hFE; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150°C; P

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    1094421
    ULN2003A

    ULN2003A

    STMICROELECTRONICS

    Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

    DARLINGTON ARRAY 7NPN, 2003, DIP16; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:1000hFE; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:16Pins; Operating Temperature Max

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    1887070
    BC846BDW1T1G.

    BC846BDW1T1G.

    ON SEMICONDUCTOR

    BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 65V, SOT363

    BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 65V, SOT363; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:290hFE; No. of Pins:6Pins

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    1459079
    MBT3946DW1T1G

    MBT3946DW1T1G

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, General Purpose, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE, SOT-363

    TRANSISTOR, NPN/PNP, SOT-363; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:250hFE; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6Pins; Operating Temperatur

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    1470513
    ULN2003ADR

    ULN2003ADR

    TEXAS INSTRUMENTS

    Bipolar Transistor Array, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

    TRANSISTOR ARRAY, NPN, SMD; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:-; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:16Pins; Operating Temperature Max:70°C; Produc

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    1094428
    ULN2803A

    ULN2803A

    STMICROELECTRONICS

    Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

    DARLINGTON ARRAY 8NPN, 2803, DIP18; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:2.25W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:1000hFE; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:18Pins; Operating Temperature

      • 3,719 件可在下一個工作日出貨
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    1652420
    ULN2803ADWR..

    ULN2803ADWR..

    TEXAS INSTRUMENTS

    Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

    DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:-; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:18Pins; Operating Temperature Max:85°C; Produ

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    2528361
    EMD3FHAT2R

    EMD3FHAT2R

    ROHM

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-563

    TRANS, NPN/PNP, 50V, SOT-563; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:30hFE; Transistor Case Style:SOT-563; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature

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    1736460
    BC847BDW1T1G.

    BC847BDW1T1G.

    ON SEMICONDUCTOR

    BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 45V, SOT363

    BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 45V, SOT363; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:450hFE; No. of Pins:6Pins

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    2016/12/5 當週起有更多存貨可供選購

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    2317635
    NST3904DP6T5G

    NST3904DP6T5G

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 40 V, 350 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963

    TRANSISTOR, NPN, 40V, 200MA, SOT-963-6; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:30hFE; Transistor Case Style:SOT-963; No. of Pins:6Pins; Operating T

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    2528362
    EMD9FHAT2R

    EMD9FHAT2R

    ROHM

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-563

    TRANS, NPN/PNP, 50V, SOT-563; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:68hFE; Transistor Case Style:SOT-563; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature

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    2528358
    EMZ1FHAT2R

    EMZ1FHAT2R

    ROHM

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

    TRANS, NPN/PNP, 50V, SOT-563; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:150mA; DC Current Gain hFE:120hFE; Transistor Case Style:SOT-563; No. of Pins:6Pins; Operating Temperatur

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    1470512
    ULN2003AN

    ULN2003AN

    TEXAS INSTRUMENTS

    Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, DIP

    TRANSISTOR ARRAY, NPN, 2003, DIP16; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:-; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:16Pins; Operating Temperature Max:70°C;

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    2528357
    EMX1FHAT2R

    EMX1FHAT2R

    ROHM

    Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

    TRANS, DUAL NPN, 50V, SOT-563; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:150mA; DC Current Gain hFE:120hFE; Transistor Case Style:SOT-563; No. of Pins:6Pins; Operating Temperatu

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    1651927
    ULN2003AD

    ULN2003AD

    TEXAS INSTRUMENTS

    Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

    TRANS, DARLINGTON, HIGH V & I; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:-; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:16Pins; Operating Temperature Max:70°C; Pro

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    2533394
    BC847BPDXV6T1G

    BC847BPDXV6T1G

    ON SEMICONDUCTOR

    Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 45 V, 500 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-563

    TRANS, NPN/PNP, 45V, SOT-563; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:SOT-563; No. of Pins:6Pins; Operating Temperatur

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    Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 350 mA, DIP

    DARLINGTON ARRAY, 2004, DIP16; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:350mA; DC Current Gain hFE:-; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:16Pins; Operating Temperature Max:70°C; Prod

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    TRANSISTOR, NPN/PNP, SOT363; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:80hFE; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature

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    Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-563

    TRANS, DUAL NPN, 50V, SOT-563; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:30hFE; Transistor Case Style:SOT-563; No. of Pins:6Pins; Operating Temperatur

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    TRANSISTOR, BIPOL, NPN/PNP, 65V, SOT363; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6Pins; Operating

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