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INFINEON  FF200R12KE4HOSA1  IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module

INFINEON FF200R12KE4HOSA1
Technical Data Sheet (463.44KB) EN 查看所有技術文件

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產品訊息

Transistor Polarity:
Dual NPN
DC Collector Current:
240A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):
1.75V
Power Dissipation Pd:
1.1kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
1.2kV
Transistor Case Style:
Module
No. of Pins:
7Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

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法規與環境保護

原產地:
Hungary

承擔產品生產最後程序之國家

符合 RoHS 規定:
關稅編號:
85412900
重量 (公斤):
.25

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