Low

VISHAY  SI2369DS-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -7.6 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V

VISHAY SI2369DS-T1-GE3
Technical Data Sheet (233.24KB) EN 查看所有技術文件

圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。

產品總覽

The SI2369DS-T1-GE3 is a P-Channel 30V Power MOSFET with ±20V gate source voltage. It works on Trench MOSFET® technology.
  • 100% Rg Tested
  • Halogen-free

產品訊息

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
-7.6A
Drain Source Voltage Vds:
-30V
On Resistance Rds(on):
0.024ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
-
Power Dissipation Pd:
2.5W
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

按照共同屬性分組尋找類似產品 

應用

  • Audio;
  • Signal Processing;
  • Industrial

法規與環境保護

濕敏等級:
MSL 1 - Unlimited
原產地:
China

承擔產品生產最後程序之國家

符合 RoHS 規定:
關稅編號:
85412900
重量 (公斤):
.000033

相關產品