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VISHAY  SI4190ADY-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 18.4 A, 100 V, 0.0073 ohm, 10 V, 1.5 V

VISHAY SI4190ADY-T1-GE3
Technical Data Sheet (271.86KB) EN 查看所有技術文件

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產品訊息

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
18.4A
Drain Source Voltage Vds:
100V
On Resistance Rds(on):
0.0073ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
1.5V
Power Dissipation Pd:
6W
Transistor Case Style:
SOIC
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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法規與環境保護

濕敏等級:
MSL 1 - Unlimited
原產地:
China

承擔產品生產最後程序之國家

符合 RoHS 規定:
關稅編號:
85412900
重量 (公斤):
.000254