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VISHAY  SI7772DP-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 35.6 A, 30 V, 0.0105 ohm, 10 V, 2.5 V

VISHAY SI7772DP-T1-GE3
Technical Data Sheet (309.21KB) EN 查看所有技術文件

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產品訊息

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
35.6A
Drain Source Voltage Vds:
30V
On Resistance Rds(on):
0.0105ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
2.5V
Power Dissipation Pd:
3.9W
Transistor Case Style:
PowerPAK SO
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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法規與環境保護

濕敏等級:
MSL 1 - Unlimited
原產地:
Taiwan

承擔產品生產最後程序之國家

符合 RoHS 規定:
關稅編號:
85412900
重量 (公斤):
.002

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