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VISHAY  SIE810DF-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 236 A, 20 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.3 V

VISHAY SIE810DF-T1-E3
Technical Data Sheet (187.42KB) EN 查看所有技術文件

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產品訊息

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
236A
Drain Source Voltage Vds:
20V
On Resistance Rds(on):
0.0011ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
1.3V
Power Dissipation Pd:
125W
Transistor Case Style:
PolarPAK
No. of Pins:
10Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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法規與環境保護

濕敏等級:
MSL 1 - Unlimited
原產地:
China

承擔產品生產最後程序之國家

符合 RoHS 規定:
關稅編號:
85412900
重量 (公斤):
.00099