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VISHAY  SIE812DF-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 163 A, 40 V, 2.6 mohm, 10 V, 2.3 V

VISHAY SIE812DF-T1-E3
Technical Data Sheet (186.59KB) EN 查看所有技術文件

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產品訊息

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
163A
Drain Source Voltage Vds:
40V
On Resistance Rds(on):
0.0026ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
2.3V
Power Dissipation Pd:
125W
Transistor Case Style:
PolarPAK
No. of Pins:
10Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
-
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

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法規與環境保護

濕敏等級:
-
原產地:
China

承擔產品生產最後程序之國家

符合 RoHS 規定:
關稅編號:
85412900
重量 (公斤):
.00099