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Infineon

Infineon 提供的 SiC 技術

CoolSiC™ 無與倫比的可靠性。多樣性。系統優勢。

SiC 解決方案可透過最佳的系統成本效益比提供極新的產品設計。

Infineon 作為頂尖的動力提供者,具有 20 年的碳化矽 (SiC) 技術開發傳承經驗,已準備好滿足更聰明、更節能的生產、傳輸和消耗需求。

透過 Infineon 廣泛的產品組合,保證能滿足最高品質標準、更長的系統使用壽命和可靠性。透過 CoolSiC™,客戶甚至可達到最嚴格的效率目標,同時看見作業系統成本下降。

Infineon 的 SiC 技術 – 關鍵差異

• 無與倫比的可靠性和品質

• 系統優勢

• 多樣性

閘極氧化層可靠性 – 設定新標竿

為了進一步改善 SiC 技術,Infineon 大筆投資測試電氣屏蔽 SiC MOSFET 的開啟狀態氧化層可靠性,以及 SiC 電力裝置中電場環境下的關閉狀態氧化層應力。

現今 Infineon 可以宣稱:

  • 由於最佳化的閘極氧化層厚度,相較於與我們競爭的 SiC MOSFET 製造商,我們的閘極氧化層屏蔽更有效率。
  • 閘極氧化層在使用壽命期間有較低的故障率,而且不會有早期故障轉化為可能影響客戶方最高閘極氧化層品質的情形。

本體二極體 – 不可或缺的部分

所有 CoolSiC™ MOSFET,無論是包裝在 Infineon 的 SiC 模組中或屬於 Infineon 的 SiC 獨立產品組合,都有一個整合式本體二極體。不需要其他肖特基二極體。 二極體毫無偏移。 強制使用同步整流 (在短暫的停滯時間後開啟二極體模式的通道),以從低傳導損失中獲益。

CoolSiC™ MOSFET 本體二極體的額定,可用於困難整流,而且高度堅固。這證明可保持長期穩定,不會因偏移而超出資料表限制。CoolSiC™ MOSFET 溝槽式概念為本體二極體的操作進行最佳化。內嵌於 p+ 區域的溝槽式底部可增強本體二極體區域。

讓 CoolSiC™ 成為應用的一部分

廣泛且多樣的產品組合

Infineon 持續在既有的矽類別中,增加以 SiC 為基礎的產品,包括溝槽式技術中革命性的 CoolSiC™ MOSFET。今日,該公司提供業界最全方位的電力產品組合之一,從超低到高電壓的電力裝置都包括在內。我們不僅確保最適用之解決方案的可用性,也進一步最佳化以 SiC 為基礎的產品項目,以滿足特定應用需求。

CoolSiC™ MOSFET – 獨立項目

零件編號規格包裝應用

IMZA65R027M1H

CoolSiC™ 650 V,27 mΩ SiC 款溝槽式 MOSFET

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TO-247-4
  • 伺服器
  • 通信
  • SMPS
  • 太陽能系統
  • 儲能
  • UPS
  • 電動車輛充電
  • 馬達驅動
  • D 類放大器

IMZA65R048M1H

CoolSiC™ 650 V,48 mΩ SiC 款溝槽式 MOSFET

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TO-247-4

IMZA65R072M1H

CoolSiC™ 650 V,72 mΩ SiC 款溝槽式 MOSFET

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TO-247-4

IMW120R090M1H

CoolSiC™ 1200 V,90 mΩ SiC 款溝槽式 MOSFET

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TO-247-3
  • 太陽能系統
  • 電動車輛充電
  • 電力管理 (工業 SMPS 和 UPS)
  • 馬達控制與驅動器

IMZ120R140M1H

CoolSiC™ 1200 V,140 mΩ SiC 款溝槽式 MOSFET

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TO247-4

IMBF170R1K0M1

CoolSiC™ 1700 V,1000 mΩ SiC 款溝槽式 MOSFET

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TO-263-7
  • 儲能系統
  • 快速電動車輛充電
  • 工業驅動
  • 電力管理 (工業 SMPS 和 UPS)
  • 太陽能系統

CoolSiC™ MOSFET – 模組

零件編號規格包裝應用

F3L15MR12W2M1_B69

EasyPACK™ 2B 1200 V,15 mΩ 3 級模組,含 CoolSiC™ MOSFET、NTC 溫度感測器和 PressFIT 接觸技術

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AG-EASY2BM
  • 電動車輛充電
  • 高頻率切換應用
  • DC-DC 轉換器
  • 太陽能系統
  • UPS 系統

F3L11MR12W2M1_B65

EasyPACK™ 2B 1200 V,主動式 NPC (ANPC) 拓撲中的 11 mΩ 3 級模組,含 CoolSiC™ MOSFET、NTC 溫度感測器和 PressFIT 接觸技術

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AG-EASY2BM
  • 3-level-applications
  • 電動車輛充電
  • 高頻率切換應用
  • 太陽能系統
  • 儲能系統

FS45MR12W1M1_B11

EasyPACK™ 1B 1200 V,45 mΩ 六單元模組,含 CoolSiC™ MOSFET、NTC 和 PressFIT 接觸技術

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AG-EASY1BM
  • 電動車輛充電
  • 高頻率切換應用
  • DC-DC 轉換器
  • 太陽能系統
  • UPS 系統
  • 儲能系統
  • 馬達控制與驅動器

F4-23MR12W1M1_B11

EasyPACK™ 1B 1200 V,23 mΩ 四單元模組,含 CoolSiC™ MOSFET、NTC 和 PressFIT 接觸技術

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AG-EASY1BM
  • 電動車輛充電
  • 焊接
  • 高頻率切換應用
  • DC-DC 轉換器
  • 太陽能系統
  • UPS 系統
  • 儲能系統

FF2MR12KM1

62mm 1200 V,2 mΩ 半橋模組,含 CoolSiC™ MOSFET

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AG-62MM-1
  • 太陽能系統
  • UPS 系統

FF3MR12KM1

62mm 1200 V,3 mΩ 半橋模組,含 CoolSiC™ MOSFET

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AG-62MM-1
  • 太陽能系統
  • UPS 系統

EiceDRIVER™ SiC MOSFET 柵極驅動器 IC

零件編號規格包裝應用

2EDS9265H

雙通道柵極驅動器,含強化輸入至輸出隔離,UVLO 13 V

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WB-DSO16 10.3mm x 10.3mm
  • 伺服器
  • 電信 DC-DC
  • 工業 SMPS
  • 同步整流
  • 磚型轉換器
  • UPS 系統
  • 電池儲存
  • 電動車輛充電
  • 工業自動化
  • 馬達驅動
  • 電動工具
  • 智慧電網

2EDF9275F

雙通道柵極驅動器,含功能性輸入至輸出隔離,UVLO 13 V

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NB-DSO16 10mm x 6mm

CoolSiC™ MOSFET – 獨立項目

零件編號規格包裝應用

AIMW120R045M1

CoolSiC™ 1200 V,45 mΩ SiC 款溝槽式 MOSFET, AEC-Q100/101 合格

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TO-247-3-41
  • 車載充電器 / PFC
  • 升壓器 / DC-DC 轉換器
  • 輔助逆變器

CoolSiC™ 肖特基二極體

AIDK08S65C5

CoolSiC™ 肖特基二極體 650 V / 8 A,SiC 式 肖特基障壁二極體,AEC-Q100/101 合格

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D2PAK (TO263-2-1)
  • 車載充電器 / PFC
  • 升壓器 / DC-DC 轉換器
  • 牽引逆變器

AIDK10S65C5

CoolSiC™ 肖特基二極體 650 V / 10 A,SiC 式 肖特基障壁二極體,AEC-Q100/101 合格

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D2PAK (TO263-2-1)

AIDK12S65C5

CoolSiC™ 肖特基二極體 650 V / 12 A,SiC 式 肖特基障壁二極體,AEC-Q100/101 合格

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D2PAK (TO263-2-1)

CoolSiC™ MOSFET – 模組

零件編號規格包裝應用

FF08MR12W1MA1_B11A

EasyDUAL™ 1B 1200 V,半橋模組,含 CoolSiC™ 汽車 MOSFET 和 PressFIT / NTC,AQG 324 合格

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AG-EASY1B
  • 牽引逆變器
  • 輔助逆變器
  • DC-DC 轉換器
零件編號描述目標應用主要功能和優點

主機板:EVAL_PS_SIC_DP_MAIN

TO-247 3-/4 針腳評估平台 (主機板) 中的 EVAL_PS_SIC_DP_MAIN CoolSiC™ MOSFET 1200 V
使用者指南

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適用於太陽能系統、電動車輛充電、UPS、電源、馬達控制和驅動器的解決方案

特色:

  • 最佳切換和傳導損失
  • 高閾值電壓標竿,Vth > 4 V
  • 0 V 關閉柵極電壓,適合易用簡單的柵極驅動器
  • 寬廣的柵極來源電壓範圍
  • 為困難整流額定、堅固且低損失的本體二極體
  • 無關溫度的關閉切換損失

優點:

  • 最高效率
  • 減少冷卻耗費的時力
  • 較高的頻率操作
  • 功率密度增加
  • 系統複雜性降低

子板:REF_PS_SIC_DP1

REF_PS_SIC_DP1 Miller 鉗位功能板,適用於 EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (子板 / 驅動卡)

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子板:REF_PS_SIC_DP2

REF_PS_SIC_DP2 Bipolar 供應功能板,適用於 EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (子板 / 驅動卡)

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EVAL-M5-E1B1245N-SIC

CoolSiC™ MOSFET 馬達驅動評估板 (最大 7.5 kW 馬達功率輸出),特色為六單元電力模組 FS45MR12W1M1_B11 和 EiceDRIVER™ 1200 V 隔離柵極驅動器 1EDI20H12AH
應用說明

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馬達控制與驅動器

特色:

  • 輸入電壓 340~480 VAC
  • 板載 EMI 濾波器
  • 電力和訊號零件之間的基本絕緣
  • 以 Δ∑-ADC 隔離電流感測
  • 以 Δ∑-ADC 進行 DC Link 電壓的隔離感測
  • 熱敏電阻輸出
  • 過載、短路和溫度過高硬體保護
  • 堅固的柵極驅動器技術,對瞬態和負電壓具有穩定性

優點:

  • MADK 最佳化至 GPD / 伺服驅動,具有非常高的 fsw
  • 配備所有組件群組,可用於無感測器的磁場導向控制 (FOC)

EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC

3300 W CCM 雙向推拉輸出電路 PFC 單元,使用 CoolSiC™ 650 V、600 V CoolMOS™ C7 和透過 XMC™ 微控制器進行的數位控制

應用說明

3D 模型

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高階伺服器、資料中心、電信

特色:

  • 高效率無橋推拉輸出電路 PFC
  • 由 CoolSiC™ 溝槽式 MOSFET 650 V 啟用
  • 透過 XMC1404 數位控制
  • 雙向功能 (DC-AC 操作)

優點:

  • 接近 99% 的效率
  • 高功率密度
  • 精巧外型 (72 W/in3)
  • 低元件計數
  • 雙向操作 (數位控制)

根據 CoolSiC™ MOSFET 特性的驅動器選擇標準

柵極驅動器電路和 IC 應支援所有 CoolSiC™ MOSFET 特性 (根據資料表)。可建議的功能包括:

  • 嚴格的傳輸延遲比對
  • 精確的輸入濾波器
  • 寬廣的輸出方供應範圍
  • 負柵極電壓功能
  • 延伸 CMTI 功能
  • 主動式 Miller 鉗位
  • DESAT 保護

Infineon 的工程師考慮了所有上述事項,盡可能讓客戶在決定採用 CoolSiC™ 時輕鬆選擇合適的驅動器。
CoolSiC™ MOSFET 甚至可以透過 0 V 關閉柵極電壓來驅動,這可實現目前市售 SiC MOSFET 中最簡單的柵極驅動方式。這簡化了柵極驅動電路,協助排除高電壓隔離,同時減少元件數量。值得注意的是,由於 MOSFET 增加了閾值電壓並最佳化 MOSFET 的電容率,MOSFET 具有高度穩健性和對於寄生接通的抗性。

不必採用過度複雜的 CoolSiC™ MOSFET 驅動。實際上,不需要任何洩流源緩衝器和柵極來源電容。

更多資訊

解決方案簡介