“CoolGaN 是最佳選擇!為什麼?”

如果您認為 Infineon 是優質功率 MOSFET 的全球領導供應商,那麼您完全正確!

但是這只是一半的事實。Infineon 還針對旗下所有高電壓開關提供完美匹配的柵極驅動器 IC;這些 IC 具備各式各樣的組態、電壓類型、隔離等級、保護功能,和封裝選項。因此,身為客戶的您將能從更快速的開關,以及最佳化的整體系統效能中受惠。

Infineon 的柵極驅動器是憑藉公司在應用方面的專業經驗,以及先進的技術知識而開發,確保適合眾多的應用領域。

鑑於高功率 SMPS 市場趨向較高功率密度,所以需要更快速的開關。在此同時,必須尋求方法以處理設計挑戰,例如寄生效應、電路板限制,和可能發生的散熱問題等。Infineon 透過其 CoolMOS™ 超接面 MOSFET (矽晶技術),以及新推出的 CoolGaN™ (氮化鎵技術) 組合,提供克服這些挑戰的解決方案。

歡迎現在就攜手合作,享受擁有專家全力支援的便利!

以氮化鎵技術為基礎的開關和驅動器

CoolGaN™ 600 V 增強模式 HEMT - SMPS 中的最高效率與密度等級

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Infineon 透過 CoolGaN™,推出 GaN 增強模式高電子遷移率電晶體 (增強模式 HEMT) 產品組合,具備領導業界的現場效能,能以具有吸引力的整體系統成本,實現強固而且可靠的系統。CoolGaN™ 電晶體是以最可靠的 GaN 技術打造,且經訂製,在開關模式電源供應器中提供市場上最高的效率和密度等級。以應用為基礎的資格方案,延伸超過市場中的其他 GaN 產品方案。

高電壓 GaN 推動 GaN EiceDRIVER™ 柵極驅動器 IC - 適用於增強模式 GaN HEMT 的 1 通道電氣隔離柵極驅動器

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拜完美匹配的柵極驅動器 IC 產品組合之賜,Infineon 新問世的 GoolGaN™ 開關產品組合使用簡易。Infineon 透過推出 GaN EiceDRIVER™ 系列,大幅擴增其 1 通道電氣隔離柵極驅動器 IC 的堅強陣容。具備高柵極電流以提供快速開啟,和強固柵極驅動拓撲的新元件已經開發出來,以期將具備非隔離柵極 (二極體輸入特性) 和低閾值電壓的增強模式 GaN HEMT 的效能予以最佳化。結果大幅降低了驅動器的複雜度 (共同研發所需投入的心力在中等程度),因為不需要更多的自訂驅動器。

以矽晶技術為基礎的開關和驅動器

Kelvin Source CoolMOS™ 超接面 MOSFET

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Infineon 透過 CoolMOS™ SJ MOSFET 產品,為能源效率、功率密度和使用簡易性豎立新標準,在傳導、開關和驅動損失方面擁有優異的性能系數。

市場中類型最廣泛的矽基超接面 MOSFET 產品組合,提供卓越耀眼的寬 RDS(on) 粒度、同等級中最佳的 RDS(on) / 封裝、最高效率,以及具備最佳化的性價比和低 EOSS 與 Qg。

600 V CoolMOS™ G7 SJ MOSFET 和 CoolSiC™ Schottky 二極體 G6 採用雙 DPAK (DDPAK) 封裝

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Infineon 透過 600 V CoolMOS™ SJ MOSFET G7 和 650 V CoolSiC™ Schottky 二極體 G6 (兩者都採 DDPAK 封裝),為高電流硬開關拓撲 (例如 PFC) 提供系統解決方案;並為 LLC 拓撲提供高階的效率解決方案。透過結合 DDPAK 產品,和 Infineon 具有真正差動輸入的單通道低端柵極驅動器系列 (1EDN TDI),適用於高功率設計的最佳化系統解決方案獲得實現。

具有真正差動輸入的 EiceDRIVER™ 1EDN7550 和 1EDN8550 單通道低端柵極驅動器 IC

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Infineon 最新登場的 EiceDRIVER™ 1EDN7550 和 1EDN8550 單通道低端非隔離柵極驅動器 IC 具有真正差動輸入。因此它們完美適合具有接地電位差挑戰的 SMPS。從特性上而言,它們的控制訊號輸入很大程度獨立於接地電位差之外。只有輸入接點之間的電壓差才相關。如此能預防功率 MOSFET 遭到錯誤觸發。