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MJ11016G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pins
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MJ11016G
訂購代碼9556583
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Power Dissipation Pd200W
DC Collector Current30A
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
產品總覽
The MJ11016G is a 120V Silicon NPN Bipolar Darlington Power Transistor designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Collector-base voltage (Vcbo = 120V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
應用
Industrial
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
200W
RF Transistor Case
TO-3
DC Current Gain hFE
200hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
DC Collector Current
30A
No. of Pins
2Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.011793