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MJF45H11G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Through Hole
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MJF45H11G
訂購代碼2535643
Product RangeMJxxxx
技術資料表
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation36W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency40MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMJxxxx
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
技術規格
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
10A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
MJxxxx
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
36W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
40MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.003311