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STMICROELECTRONICS STB23NM60ND
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 10 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
STB23NM60ND 的替代選擇
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The STB23NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
- The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
- 100% Avalanche tested
- Low gate input resistance
- High dV/dt and avalanche capabilities
應用
Industrial, Power Management
產品訊息
技術文件 (2)
无库存
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- 1+
- 10+
- 25+
- 100+
- 500+
- 1000+
- 2500+
| 數量 | 價格 | 您的價格 |
|---|---|---|
| 1+ | NT$90.49 | |
| 10+ | NT$80.68 | |
| 25+ | NT$67.54 | |
| 100+ | NT$59.13 | |
| 500+ | NT$51.80 | |
| 1000+ | NT$49.67 | |
| 2500+ | NT$49.10 | |
| 數量 | 價格 | 您的價格 |
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