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TK10E60W,S1VX(S
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$129.800 |
| 10+ | NT$65.790 |
| 100+ | NT$60.770 |
| 500+ | NT$52.810 |
| 1000+ | NT$50.450 |
| 5000+ | NT$49.450 |
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TK10E60W,S1VX(S
訂購代碼3977643
其他名稱TK10E60W, TK10E60W,S1VX
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id9.7A
Drain Source On State Resistance0.327ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.7A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.327ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002