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TK10J80E,S1E(S
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 10 A, 0.7 ohm, TO-3P, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$124.200 |
| 10+ | NT$87.030 |
| 100+ | NT$59.300 |
| 500+ | NT$52.510 |
| 1000+ | NT$50.450 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號TK10J80E,S1E(S
訂購代碼4035790
其他名稱TK10J80E, TK10J80E,S1E
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.7ohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-3P
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.7ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002