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SI4532ADY-T1-E3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.044 ohm
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不再生產
包裝選項
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SI4532ADY-T1-E3
訂購代碼
複捲式1470118RL
條帶式包裝1470118
技術資料表
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4.9A
Continuous Drain Current Id P Channel4.9A
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.13W
Power Dissipation P Channel1.2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SI4532ADY-T1-E3 的替代選擇
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產品總覽
The SI4532ADY-T1-E3 is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.9A
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.2W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.9A
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.13W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000252