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SIRA14DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 20 A, 0.0051 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIRA14DP-T1-GE3
訂購代碼2283684
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.0051ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation31.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
31.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0051ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00012