列印頁面
SIS890ADN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 24.7 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIS890ADN-T1-GE3
訂購代碼3587062
Product RangeTrenchFET Gen IV
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id24.7A
Drain Source On State Resistance0.021ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation39W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24.7A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001