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SISH407DN-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 25 A, 0.0082 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SISH407DN-T1-GE3
訂購代碼3019130
Product RangeTrenchFET
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.0082ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation33W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0082ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001