主導驅動器的效率

1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 - 功率密度更高，並有優化開關功能

基於最新微圖案溝槽技術，1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 與 EC7 二極體的損耗大減，並有高度控制力。此元件已針對工業驅動器應用優化。因此，能降低靜態損耗，提高功率密度，開關時也更加的溫和。

EconoDUAL™ 3（適合中等功率，為半橋型）

EconoDUAL™ 3 模組現已推出最新 TRENCHSTOP™ IGBT7 世代，使 1200 V 產品組合擴大至 900 A。900 A 1200 V EconoDUAL™ 特別具備改良式外殼，能以相同尺寸應付更高的電流和溫度。結合以 TRENCHSTOP™ IGBT7 技術，展現損耗的大幅降低、高度控制力和開關溫和度，並有高短路能力。加上過載時有 175°C 的最高操作溫度，可達到高效率和功率密度，發揮系統簡化和成本降低等功效。

CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET，TO-263-7 封裝

CoolSiC™ 1200 V，30 mΩ SiC MOSFET 採 D2PAK-7L (TO-263-7) 封裝，建置在精良的溝槽半導體製程之上，經過優化，使操作得的效能與可靠兼備。CoolSiC 技術的功率損耗低，與 .XT 互連技術併入新型 1200 V 優化 SMD 封裝，帶來一流效率與被動冷卻潛能，適合的應用例如驅動器、衝電器和工業電源供應器。

EiceDRIVER™ X3 Compact 與 Enhanced 族系

EiceDRIVER™ X3 Compact 隔離閘極驅動器族系現已包括 X3 Compact 1ED31xx 族系，附 Miller 夾或單獨輸出功能。高度推薦以主動 Miller 夾功能用於關閉 SiC MOSFET 0 V。高達 14 A 輸出電流，200 kV/µs CMTI，7 ns 最大傳播延遲配對，40 V 最大輸出供電壓。整合濾波器，減少對於外接濾波器的需要。

EiceDRIVER™ X3 Enhanced 隔離閘極驅動器產品組合現已包括 X3 Analog 1ED34xx 族系與 X3 Digital 1ED38xx 族系，附 DESAT、Miller 夾，軟式關閉和 I2C 組態能力。這個高度靈活的閘極驅動器族系有廣寬的組態功能和監測選項。可做成創新的使用案例，例如預測性維護。

以 Arm® Cortex®-M 為基礎的 32 位元 XMC™ 工業微控制器

XMC1000 微控制器以尖端的 65nm 製程將 Arm® Cortex®-M0 核心與通過市場考驗和突出的周邊結合在一起。欲使傳統 8 位元設計達到更高的境界，XMC1000 是第一首選。XMC4000 元件皆有 Arm® Cortex®-M4 技術支援，並內建 DSP 指令集。單精度浮點數單元、直接記憶體存取 (DMA) 等與記憶體保護單元 (MPU) 為一切元件的上乘功能 – 即使是最小的 XMC4000 也能在核心與周邊以高達 80Mhz 執行。隨附一組周全的共同、快速又精確的類比/混合訊號、計時器/PWM 和通訊周邊。

NOR 快閃記憶體

NOR 快閃記憶體因為具有快速隨機讀取效能，是嵌入式系統中儲存程式碼的理想記憶體。此效能也支援 XIP (eXecute In Place，就地執行) 功能，讓主機控制器能直接從 NOR 快閃記憶體執行程式碼，無須先將程式碼複製至 RAM。序列 NOR 記憶體的效能層級提高，因此能將 XIP 用在許多應用項目的各種廣泛設計之內。

馬達驅動器逆變器板附 CoolSiC™ MOSFET

EVAL-M5-IMZ120R-SIC 和 EVAL-M5-E1B1245N-SIC 是適合馬達驅動器應用的 3 相逆變器板，以我們的 CoolSiC™ MOSFET 所實作。操作上可使用配備 M5 32 針介面連接器 (例如 XMC DriveCard 4400) 的控制板。聯合之下可在此應用中以使用碳化矽 MOSFET 為特色，同時有示範作用。EVAL-M5-IMZ120R-SIC 逆變器採取 TO247 封裝，EVAL-M5-E1B1245N-SIC 則採取 Easy1B 封裝。

此外，EVAL-M1-IM818-A 是 MADK 評估板，能隨即使用含有 1200 V IM818-MCC CIPOS™ Maxi IPM 的功率級模組驅動 380 V 3 相馬達。