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DIF065SIC020
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
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|---|---|
| 1+ | NT$2,756.800 |
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| 10+ | NT$2,155.220 |
| 50+ | NT$1,723.860 |
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產品訊息
製造商DIOTEC
製造商產品編號DIF065SIC020
訂購代碼4552615
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation550W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
150A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
550W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.005167