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NVBG070N120M3S-IE
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 1.2 kV, 0.065 ohm, D2PAK
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$438.100 |
| 5+ | NT$366.880 |
| 10+ | NT$329.940 |
| 50+ | NT$310.590 |
| 100+ | NT$290.810 |
| 250+ | NT$287.670 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVBG070N120M3S-IE
訂購代碼4854144
Product RangeEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation86W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
86W
Product Range
EliteSiC Series
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.01