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HGTD1N120BNS9A
IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pins
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|---|---|
| 5+ | NT$34.780 |
| 50+ | NT$30.530 |
| 100+ | NT$26.280 |
| 500+ | NT$21.930 |
| 1000+ | NT$21.800 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
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品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號HGTD1N120BNS9A
訂購代碼2453921
技術資料表
Continuous Collector Current5.3A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation60W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-252AA
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Continuous Collector Current
5.3A
Power Dissipation
60W
Transistor Case Style
TO-252AA
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00026