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IXFN360N10T
MOSFET Transistor, GigaMOS™, N Channel, 360 A, 100 V, 0.0026 ohm, 100 V, 4.5 V, SOT-227B
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
可供訂購
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$933.850 |
| 5+ | NT$878.110 |
| 10+ | NT$822.360 |
| 50+ | NT$766.610 |
| 100+ | NT$710.860 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商產品編號IXFN360N10T
訂購代碼2784061
Product RangeTrench HiperFET
技術資料表
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id360A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance2600µohm
Rds(on) Test Voltage100V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrench HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
產品總覽
應用
Medical
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
100V
Power Dissipation
830W
Product Range
Trench HiperFET
Continuous Drain Current Id
360A
Drain Source On State Resistance
2600µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001361