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IXFN420N10T
MOSFET Transistor, N Channel, 420 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
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產品訊息
製造商產品編號IXFN420N10T
訂購代碼3438388
Product RangeGigaMOS HiperFET
技術資料表
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id420A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance2300µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.07kW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeGigaMOS HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.07kW
Product Range
GigaMOS HiperFET
Continuous Drain Current Id
420A
Drain Source On State Resistance
2300µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.030182