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產品訊息
製造商產品編號VNQ860-E复制
訂購代碼8165467
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds41V
Continuous Drain Current Id250mA
Drain Source On State Resistance0.27ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation16W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
250mA
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
16W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds
41V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
150°C
法規與環境保護
原產地:
承擔產品生產最後程序之國家原產地:Morocco
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地:Morocco
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定:是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤):.006

