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SIA437DJ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$18.610 | NT$18.61 |
| 總計 價格 | NT$18.61 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$18.610 |
| 10+ | NT$16.340 |
| 100+ | NT$12.540 |
| 500+ | NT$9.910 |
| 1000+ | NT$9.820 |
品項附註
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產品訊息
製造商VISHAY
製造商產品編號SIA437DJ-T1-GE3
訂購代碼
複捲式2364068RL
條帶式包裝2364068
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id29.7A
Drain Source On State Resistance0.0145ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
產品總覽
The SIA437DJ-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and battery switch applications.
- Thermally enhanced PowerPAK® package
- Small footprint area
- Low ON-resistance
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
應用
Industrial, Power Management, Portable Devices
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
29.7A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0145ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000454