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IXTA1N200P3HV
Power MOSFET, N Channel, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-263HV, Surface Mount
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| 5+ | NT$288.590 |
| 10+ | NT$266.860 |
| 50+ | NT$245.130 |
| 100+ | NT$223.400 |
| 250+ | NT$202.610 |
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產品訊息
製造商LITTELFUSE
製造商產品編號IXTA1N200P3HV
訂購代碼4060233
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds2kV
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance40ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
2kV
Drain Source On State Resistance
40ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00205