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GD150HFY120C8S
IGBT Module, Half Bridge, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
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產品訊息
製造商STARPOWER
製造商產品編號GD150HFY120C8S
訂購代碼3549232
技術資料表
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current291A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation1.102kW
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
產品總覽
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技術規格
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Continuous Collector Current
291A
Power Dissipation
1.102kW
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.3