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MUN5213DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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|---|---|
| 5+ | NT$5.540 |
| 50+ | NT$4.510 |
| 100+ | NT$3.470 |
| 500+ | NT$2.270 |
| 1500+ | NT$2.220 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
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品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MUN5213DW1T1G复制
製造商標準前置時間14 週
訂購代碼2464150
技術資料表
Transistor PolarityDual NPN
Digital Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Continuous Collector Current Ic100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R147kohm
Base Emitter Resistor R247kohm
Resistor Ratio, R1 / R21(Ratio)
Transistor Case StyleSOT-363
RF Transistor CaseSOT-363
No. of Pins6 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation385mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min80hFE
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Continuous Collector Current Ic
100mA
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
47kohm
Transistor Case Style
SOT-363
No. of Pins
6 Pin
Power Dissipation
385mW
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Digital Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
47kohm
Resistor Ratio, R1 / R2
1(Ratio)
RF Transistor Case
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001