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DMG6602SVTX-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$28.440 | NT$142.20 |
| 總計 價格 | NT$142.20 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$28.440 |
| 10+ | NT$12.690 |
| 100+ | NT$11.160 |
| 500+ | NT$8.540 |
| 1000+ | NT$5.330 |
| 5000+ | NT$5.230 |
品項附註
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產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號DMG6602SVTX-7复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3944067RL
條帶式包裝3944067
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.035ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.035ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001