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AIMCQ120R080M1TXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 34 A, 1.2 kV, 0.1 ohm, HDSOP
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 10+ | NT$208.110 |
| 50+ | NT$190.710 |
| 100+ | NT$173.310 |
| 250+ | NT$169.850 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 10
多項: 1
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品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號AIMCQ120R080M1TXTMA1
訂購代碼4628430RL
其他名稱AIMCQ120R080M1T, SP005730179
技術資料表
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.1ohm
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation211W
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
211W
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001