列印頁面
BFR181WH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號BFR181WH6327XTSA1
訂購代碼2617458
其他名稱BFR 181W H6327, SP000750418
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency8GHz
Power Dissipation175mW
Continuous Collector Current20mA
Transistor Case StyleSOT-323
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min100hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
Low noise silicon bipolar RF transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5mA to 12mA.
- fT = 8GHz, NFmin = 0.9dB at 900MHz
- Easy to use
- Qualification report according to AEC-Q101
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
8GHz
Continuous Collector Current
20mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
175mW
Transistor Case Style
SOT-323
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001