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FF150R12RT4HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module
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不再生產
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號FF150R12RT4HOSA1
訂購代碼2726121
其他名稱FF150R12RT4, SP000624908
技術資料表
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current150A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation790W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
技術規格
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Continuous Collector Current
150A
Power Dissipation
790W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Slovak Republic
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Slovak Republic
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85359000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.1642