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FF200R12KT4HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號FF200R12KT4HOSA1
訂購代碼2377249
其他名稱FF200R12KT4, SP000370618
技術資料表
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current320A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation1.1kW
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Continuous Collector Current
320A
Power Dissipation
1.1kW
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Hungary
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Hungary
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.25