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FF6MR12W2M1B70BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 5630 µohm, Module
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號FF6MR12W2M1B70BPSA1
訂購代碼3755140
Product RangeCoolSiC Trench
其他名稱SP004486482, FF6MR12W2M1_B70
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技術資料表
不再生產
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號FF6MR12W2M1B70BPSA1
訂購代碼3755140
Product RangeCoolSiC Trench
其他名稱SP004486482, FF6MR12W2M1_B70
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance5630µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins38Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
5630µohm
No. of Pins
38Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
CoolSiC Trench
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00542