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IGC019S06S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
技術規格
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
No. of Pins
6Pins
Continuous Drain Current Id
99A
Typical Gate Charge
13nC
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001