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IGC019S06S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 100+ | NT$71.290 |
| 500+ | NT$63.440 |
| 1000+ | NT$58.540 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 100
多項: 1
NT$7,129.00
品項附註
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技術規格
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
No. of Pins
6Pins
Continuous Drain Current Id
99A
Typical Gate Charge
13nC
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001