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IGLR65R200D2XUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
技術規格
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.24ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
9.2A
Typical Gate Charge
1.26nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001