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IGT60R190D1ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
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| 500+ | NT$130.890 |
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IGT60R190D1ATMA1
訂購代碼4220238RL
Product RangeCoolGaN Series
技術資料表
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Typical Gate Charge3.2nC
Transistor Case StylePG-HSOF-8-3
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Transistor Case Style
PG-HSOF-8-3
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
12A
Typical Gate Charge
3.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001