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IM12S90EA2XKMA1
Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, Six N Channel, 1 mA, 1.2 kV, 0.125 ohm, DIP
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IM12S90EA2XKMA1
訂購代碼4836715
Product RangeCIPOS Maxi CoolSiC Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationThree Level Inverter
Channel TypeSix N Channel
Continuous Drain Current Id1mA
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StyleDIP
No. of Pins24Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max525mV
Power Dissipation114W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCIPOS Maxi CoolSiC Series
SVHCTo Be Advised
技術規格
MOSFET Module Configuration
Three Level Inverter
Continuous Drain Current Id
1mA
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
No. of Pins
24Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
525mV
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Six N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
DIP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
114W
Product Range
CIPOS Maxi CoolSiC Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001