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IMBG65R033M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
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製造商INFINEON
製造商產品編號IMBG65R033M2HXTMA1
訂購代碼4640388
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
其他名稱IMBG65R033M2H, SP006051145
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技術資料表
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$329.600 |
| 5+ | NT$284.400 |
| 10+ | NT$239.190 |
| 50+ | NT$229.250 |
| 100+ | NT$219.310 |
| 250+ | NT$209.820 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMBG65R033M2HXTMA1
訂購代碼4640388
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
其他名稱IMBG65R033M2H, SP006051145
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation227W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
227W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001