列印頁面
IMT65R033M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IMT65R033M2HXUMA1
訂購代碼4677112RL
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
其他名稱IMT65R033M2H, SP006051125
您的零件号
技術資料表
94 有存貨
2,000 即日起您可預購補貨
94 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 10+ | NT$214.760 |
| 50+ | NT$196.840 |
| 100+ | NT$178.920 |
| 250+ | NT$175.350 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 10
多項: 1
NT$2,147.60
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMT65R033M2HXUMA1
訂購代碼4677112RL
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
其他名稱IMT65R033M2H, SP006051125
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation312W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
68A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
312W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001