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IPD029N04NF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPD029N04NF2SATMA1
訂購代碼4154492RL
Product RangeStrongIRFET 2 Series
其他名稱SP005633202
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技術資料表
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 100+ | NT$22.500 |
| 500+ | NT$18.450 |
| 1000+ | NT$13.460 |
| 5000+ | NT$13.410 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 100
多項: 1
NT$2,250.00
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPD029N04NF2SATMA1
訂購代碼4154492RL
Product RangeStrongIRFET 2 Series
其他名稱SP005633202
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id131A
Drain Source On State Resistance2400µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.4V
Power Dissipation107W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
131A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
107W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001