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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPD034N06N3GATMA1
訂購代碼2443392RL
其他名稱IPD034N06N3 G, SP000451070
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance3400µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation167W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The IPD034N06N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地:
承擔產品生產最後程序之國家原產地:Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地:Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定:是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤):.0003