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IPF010N06NF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 293 A, 880 µohm, TO-263, Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPF010N06NF2SATMA1
訂購代碼4154486
Product RangeStrongIRFET 2 Series
其他名稱SP005588966
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$131.220 |
| 10+ | NT$116.190 |
| 100+ | NT$101.150 |
| 500+ | NT$86.120 |
| 1000+ | NT$71.370 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPF010N06NF2SATMA1
訂購代碼4154486
Product RangeStrongIRFET 2 Series
其他名稱SP005588966
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id293A
Drain Source On State Resistance880µohm
Transistor Case StyleTO-263
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation300W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
293A
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
880µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
No. of Pins
7Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001