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IPF042N10NF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 139 A, 3700 µohm, TO-263, Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPF042N10NF2SATMA1
訂購代碼4134237
Product RangeStronglRFET Series
其他名稱SP005742001, IPF042N10NF2S
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$78.130 |
| 10+ | NT$35.790 |
| 100+ | NT$27.160 |
| 500+ | NT$26.150 |
| 1000+ | NT$25.130 |
| 5000+ | NT$24.110 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
NT$78.13
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPF042N10NF2SATMA1
訂購代碼4134237
Product RangeStronglRFET Series
其他名稱SP005742001, IPF042N10NF2S
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id139A
Drain Source On State Resistance3700µohm
Transistor Case StyleTO-263
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation167W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStronglRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
139A
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
7Pins
Product Range
StronglRFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00175