列印頁面
IPN80R3K3P7ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, SOT-223, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IPN80R3K3P7ATMA1
訂購代碼2986363RL
Product RangeCoolMOS P7
其他名稱IPN80R3K3P7, SP001664992
您的零件号
技術資料表
2,678 有存貨
需要更多？
2678 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 100+ | NT$13.400 |
| 500+ | NT$10.310 |
| 1000+ | NT$7.520 |
| 5000+ | NT$7.340 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 100
多項: 1
NT$1,340.00
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPN80R3K3P7ATMA1
訂購代碼2986363RL
Product RangeCoolMOS P7
其他名稱IPN80R3K3P7, SP001664992
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source On State Resistance2.8ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation6.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
2.8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001