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IPT022N10NF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IPT022N10NF2SATMA1
訂購代碼4134243RL
Product RangeStronglRFET Series
其他名稱SP005679731, IPT022N10NF2S
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技術資料表
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 100+ | NT$52.330 |
| 500+ | NT$45.460 |
| 1000+ | NT$40.500 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 100
多項: 1
NT$5,233.00
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPT022N10NF2SATMA1
訂購代碼4134243RL
Product RangeStronglRFET Series
其他名稱SP005679731, IPT022N10NF2S
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id236A
Drain Source On State Resistance2000µohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation250W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStronglRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
236A
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
StronglRFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00175