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IRF7341TRPBFXTMA1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 100+ | NT$17.100 |
| 500+ | NT$13.340 |
| 1000+ | NT$9.890 |
| 5000+ | NT$9.080 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 100
多項: 1
NT$1,710.00
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRF7341TRPBFXTMA1
訂購代碼4236356RL
Product RangeHEXFET Series
其他名稱SP005876277
技術資料表
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.043ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSO-8
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043ohm
Transistor Case Style
SO-8
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000139