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IRF7601PBF
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 5.7 A, 0.035 ohm, µSOIC, Surface Mount
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The IRF7601PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation.
- Generation V technology
- Ultra-low ON-resistance
- Low profile (<lt/>1.1mm)
- Fast switching
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
應用
Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Transistor Case Style
µSOIC
Product Range
-
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000117