列印頁面
IRF7853TRPBF
Power MOSFET, HEXFET®, N Channel, 100 V, 8.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
3,098 有存貨
需要更多？
3098 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$56.940 |
| 10+ | NT$37.150 |
| 100+ | NT$26.120 |
| 500+ | NT$22.090 |
| 1000+ | NT$19.720 |
| 5000+ | NT$17.350 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
NT$56.94
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRF7853TRPBF
訂購代碼2776815
其他名稱SP001554438
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id8.3A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.9V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.9V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
IRF7853TRPBF 的替代選擇
找到 1 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000431